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      新聞資訊

      小角度晶界比例比較大的情況是不是晶界滑移也比較多?

            新聞資訊

      晶界滑動所屬現代詞,指的是高溫下多晶體金屬相鄰晶粒在切應力作用下沿著晶粒間界的相對移動。高溫下多晶體晶粒間界處的結合顯著削弱,當受切應力作用時,晶粒發生沿著間界作相對的滑動而變形。晶界滑動速度相當緩慢,只有在蠕變條件下即溫度高和應力低的情況下才顯得重要。晶粒越小,單位體積內晶界面積越大,晶界滑動的作用就越大,即對總變形量的貢獻就越大。

      原標題:EBSD取向差集中在小角度區域 能不能說晶界滑移比較多呢?

      前篇回顧:相同的材料磁控濺射的速率和功率壓強有關系嗎?

      請問EBSD取向差集中在小角度區域,也就是小角度晶界比例比較大的情況下 能不能說晶界滑移也比較多呢? 晶界滑移多了 位錯密度也就低了

      不能說明。兩者沒有直接關聯。小角度取向差比例高,間或說明形變區域,有時候也是強織構的表現。

      為什么晶界滑移能減少位錯呢?晶界滑移是細晶粒位錯密度較低的原因?


      抱歉,不懂“晶界滑移能減少位錯”這個說法。也不知道“晶界滑移是細晶粒位錯密度較低的原因”什么意思。


      Grain boundary sliding is recognized as the primary
      mechanism during superplastic deformation of finegrained
      materials

      Grain boundary sliding accounts for the low dislocation density in grains
      having sizes <250 nm.?

      這主要是在不同的晶粒尺度下變形協調機制的不同。我們知道傳統的塑形變形主要通過位錯在晶粒內的滑移來實現,可以認為大尺寸的晶粒給這種滑移提供了較廣闊的空間使位錯運動容易實現,成為首要的變形機制。而隨著晶粒尺寸的下降到fine 或者ultrafine尺寸時,晶界在整個晶粒中的密度不斷升高,由于晶界主要性質表現為對位錯滑移的阻礙作用, 從而使得晶粒中位錯滑移變得越來越困難,位錯密度不斷降低,宏觀上變現為材料的強度增大,即Hall-Patch效應,也是細晶強化的微觀機理。一種變形機制變得困難,那么相應的另一種變形機制將被觸發,即基于晶界自身的運動(包括晶界滑移,晶粒旋轉,擴散蠕變,晶界位錯等等), 也就是說此時由位錯運動和晶界運動共同來協調變形。這樣你應該能明白你所提到的“晶界滑移能減少位錯”“晶界滑移是細晶粒位錯密度較低的原因”的說法

      這是超塑性的變形機制,應該翻譯為“晶界滑動”,“滑移”一般專指位錯滑移;
      超塑性模式的“”組織超塑性”前提是細晶組織;在載荷下微觀晶界“剛性”“滑動”,同時依靠晶界擴散協調晶界,從而獲得宏觀變形;此時不明顯涉及晶內位錯運動,因為晶體在晶界處“剛性”滑動,原則上晶體不發生取向轉動。

      晶界滑移與位錯滑移的區別

      幾個板狀拉伸試樣拉斷后的側面的金相圖,能看出是沿晶斷裂還是穿晶斷裂嗎?

      晶界滑移

      圖片由金相顯微鏡顯微鏡相機拍攝

      進項組織圖片

      金相組織圖片

      金相圖片

      金相圖片

      錯滑移和晶界滑動在宏觀的金相上或者sem上的區分應該是:晶界滑移是一個大臺階,位錯滑移是一群小臺階。圖中的斷口似乎像是沿晶斷裂。

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